传台积电3nm制程工艺将提前投产

传台积电3nm制程工艺将提前投产

  传台积电3nm制程工艺将提前投产，N3 计划于 2023 年投产，N3E 节点原定于 2024 年投产，但现在看来它会提前准备就绪。传台积电3nm制程工艺将提前投产。

  传台积电3nm制程工艺将提前投产1  据techpowerup报道称，台积电正在开发3nm的工艺制程，包括了N3、N3B和N3E多个节点。

  据了解，台积电原计划在2022下半年量产N3节点，N3E量产计划为2023年下半年。

  但由于作为3nm简化版的N3E节点，量产率较高，台积电希望早日实现商业化，可能提前到2023年上半年。

  N3E的工艺流程也已经提前准备好了，工艺流程在这个月底就会确定。

  据悉，N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8%，不过仍比5nm的N5制程节点要高出60%，并且具有更好的性能、功耗和产量。

  相比之下，据说N3的逻辑密度比N5高 70%。

  还有N3B，据说是针对某些客户的 N3 的改进版本，不过我们目前对N3B节点知之甚少。

  无论N3E还是N3B，都不是用于取代N3，只是让客户有更多的选择，在不同产品上有更好的性能和功耗表现。

  传台积电3nm制程工艺将提前投产2  台积电正在开发多个 N3 节点，目前至少 N3、N3B 和 N3E 正在开发中。N3 计划于 2023 年投产，N3E 节点原定于 2024 年投产，但现在看来它会提前准备就绪。N3E 节点原本是 N3 节点的增强版本，但现在它似乎更像是一个替代节点，基于更少的 EUV 层，据说从 25 层降至 21 层，这将使其更容易制造。

  根据摩根士丹利的详细信息， N3E 节点的密度比原始 N3 节点低 8% 左右，但仍比 N5 节点高 60% 左右。相比之下，据说 N3 节点的逻辑密度比 N5 节点高 70%。

  该报告表明，N3E 节点可能会在本月底完成，这意味着从 23 年第 3 季度到 23 年第 2 季度，整个季度的生产可能最终会被拉动。

  N3E 节点“具有改进的制造工艺窗口，具有更好的性能、功率和产量”，因此我们可能会看到 N3E 节点被几乎所有正在寻求制造高性能硅的人用于未来产品。

  N3E 节点的产量也高于 N3B 节点，据说 N3B 是针对某些客户的 N3 的改进版本。目前对 N3B 节点知之甚少。

  传台积电3nm制程工艺将提前投产3  台积电（TSMC）目前正在N3制程节点上开发多个工艺，包括了N3、N3B和N3E。去年台积电总裁魏哲家表示，N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构，推出的时候将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，同时也会是台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。

  据TechPowerup报道，近期摩根士丹利的报告指，在N3基础上扩展的N3E已提前准备好了，工艺流程可能会在这个月底确定。台积电原计划在2022年下半年量产N3制程节点，N3E作为3nm工艺中的`简化版本，量产时间为2023年下半年。由于N3E测试生产的时候良品率较高，台积电希望能更早地实现商业化，可能会提前到2023年第二季度。

  据了解，N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8%，但仍然比N5制程节点要高出60%。此外，N3E的良品率也高于N3B，后者传言是针对某些客户使用而开发的N3改进版本，不过目前缺乏相关信息。无论N3E还是N3B，都不是用于取代N3，只是让客户有更多的选择，在不同产品上有更好的性能和功耗表现。

  芯片测试设备制造商Teradyne表示，2023年对3nm芯片的需求会有明显的增长，虽然像苹果这样的公司最早在2023年初就能得到首批3nm芯片，但其他厂商最快可能在2023年下半年就能跟进。